基本情况：杨德仁，1964年4月出生，中国科学院院士，硅及先进半导体材料全国重点实验室主任，浙江大学材料科学与工程学院教授。2016年获全国五一劳动奖章、“浙江省劳动模范”荣誉称号。2020年获“全国先进工作者”荣誉称号。
先进事迹： 长期从事半导体硅材料的研究，解决了氮关缺陷的基础科学问题，促进了其在国际上的广泛应用；发明了微量掺锗硅晶体生长系列技术，解决了相关硅晶体的基础科学问题；成功制备出纳米硅管等新型纳米半导体材料。以第一获奖人获得国家自然科学二等奖2项，国家技术发明二等奖1项，何梁何利基金科学与技术进步奖1项，浙江省科学技术一等奖4项，省部级科学技术二等、三等奖及其它科技奖6项；以第二、三获奖人获得省科学技术奖一等奖4项。
